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本发明属于微型传感器技术领域，涉及一种高温压力传感器芯片的制备方法。该方法采用两次硅硅键合技术分别将压阻层与压力敏感膜、压力敏感膜和衬底硅连接起来，形成一个整体。其中压阻层采用高温硼扩散掺杂方式制备，与压力敏感膜采用氧化绝缘层隔离。本发明的...该专利属于中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所授权不得商用。