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本发明公开了功率二极管。一种功率二极管包括半导体主体，所述半导体主体被耦合到功率二极管的阳极金属化部和阴极金属化部。所述半导体主体具有第一导电类型的漂移区以及第二导电类型的阳极区。所述阳极区包括：被布置成与阳极金属化部接触的接触区域；被布置...
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