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本发明涉及一种积层配线构造体及积层配线构造体的制造方法、以及半导体装置。实施方式的积层配线构造体具备：第1积层部，将第1导电体与第1绝缘体交替地积层，且包含具有存储单元的第1区域、以及与第1区域不同的第2区域；多个第1接触插塞，在第2区域内...
该专利属于东芝存储器株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东芝存储器株式会社授权不得商用。

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