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本发明公开一种采用TSV和RDL的三维集成电路散热系统，三维集成电路包括依次叠加设置的键合层、硅衬底和有源区，其特征在于，所述硅衬底表面沉积有介质层，介质层内沉积有用于吸收有源区热量的金属线，硅衬底和介质层内设置有与金属线连接的热传导硅通孔...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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