温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法为，首先提供一基底，该基底具有一第一区域以及一第二区域，然后形成一第一栅极结构于第一区域以及一第二栅极结构于第二区域，形成一第一间隙壁环绕第一栅极结构，形成一第一外延层于第一间隙壁...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。