温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种单层石墨烯本征缺陷下的电导率计算方法。使用本发明能够计算出完美石墨烯晶胞结构出现本征缺陷之后的结构与电子特性的改变，进而得到其电导率的变化情况。本发明首先建立单层石墨烯各类型本征缺陷的晶胞构型模型；然后利用第一性原理得到缺陷...
该专利属于兰州空间技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过兰州空间技术物理研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。