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本发明公开了一种对Cu3N薄膜进行定量掺杂的方法及其装置。本发明的真空腔内设置有样品台、加热丝、衬底、靶，样品台设置在真空腔内底部，样品台上表面设置有加热丝，加热丝上设置有衬底；靶设置在真空腔内顶部；靶上方设置有磁铁，磁铁上方设置有冷却水系...
该专利属于杭州电子科技大学信息工程学院所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学信息工程学院授权不得商用。

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