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本发明涉及一种新型深紫外发光二极管芯片，包括外延结构、位于所述外延结构上的P型金属电极层，P型金属电极层开设有若干个孔洞，且相邻两层孔洞所在位置相互对应；所述芯片还包括N型金属电极层与导联层，所述N型金属电极层包括若干列电极柱，每列电极柱包...该专利属于华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学授权不得商用。