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本发明公开了一种多像元集成铟镓砷雪崩二极管四象限光电探测芯片及制作方法，其包括，在同一铟镓砷外延晶片上，分布有四个光敏探测区，每个光敏探测区内由多个小单元雪崩二极管并联而成的芯片。所述芯片整体光敏面由四个方形雪崩二极管中心对称均布组成，方形...
该专利属于西南技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过西南技术物理研究所授权不得商用。

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