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一种磁控性忆阻器电路制造技术
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文档序号:20684282
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本发明公开了一种磁控性忆阻器电路,由输入口、第一磁链控制电路、第二磁链控制电路和第三磁链控制电路组成;第一磁链控制电路包括电容C5、电流反馈型放大器U11、U12、放大器U13、U14、电阻R11、R12、R13、R14、R15、R16、R...
该专利属于西华大学所有,仅供学习研究参考,未经过西华大学授权不得商用。
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