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本发明公开一种形成存储器电容的方法。首先提供一基底，基底中具有多个存储垫，然后在基底上形成一图案化支撑层。在图案化支撑层上形成一底电极层，底电极层共形地形成在图案化支撑层上以及其开口的表面上，并接触存储垫。接着在底电极层上形成一牺牲层。后续...该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。