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本发明涉及一种基于硒化铟晶体管的PVDF压电传感器及其制作方法，属于压电传感器领域，包括P型硅片、二氧化硅薄膜、三氧化二铝薄膜、金属电极、InSe纳米薄膜和PVDF薄膜，P型硅片的一侧上表面设置二氧化硅薄膜、三氧化二铝薄膜和InSe纳米薄膜...
该专利属于山东大学深圳研究院所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学深圳研究院授权不得商用。

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