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本发明公开了一种改进栅控型功率器件安全工作区性能的自对准工艺，在进行重掺杂P型注入之前，在栅极端部向发射极接触孔的方向形成衬垫结构，然后以该衬垫结构作为阻挡进行重掺杂P型注入，重掺杂P型注入之后，去除衬垫结构。本发明能够通过调节氮化层沉积的...
该专利属于扬州国扬电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州国扬电子有限公司授权不得商用。

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