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本发明提供了一种碳化硅高温退火表面保护的制作方法及碳化硅功率器件，属于半导体器件制备技术领域，包括：在碳化硅圆片表面沉积二氧化硅介质作为离子注入的散射层；在二氧化硅介质表面涂覆光刻胶，并对注入区域进行曝光、显影，露出二氧化硅介质；对碳化硅圆...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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