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本发明提供一种有效地除去用三氟化氯清洗半导体制造用反应室之后所残留的氟原子的方法。将制造了半导体后的半导体制造用反应室内暴露于三氟化氯中，在除去了所述反应室内所残存的除去对象物之后，将所述反应室内用选自氮、氩、氦和氢中的至少1种气体进行热处...该专利属于国立大学法人横滨国立大学;关东电化工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过国立大学法人横滨国立大学;关东电化工业株式会社授权不得商用。