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本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。包括：提供一形成有缓冲层的衬底，并将所述衬底放入反应室内；以500转/分钟～800转/分钟的转速转动所述衬底，并控制所述反应室内的压力为100torr～150torr，...
该专利属于华灿光电（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（苏州）有限公司授权不得商用。

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