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本实用新型涉及一种Ge材料NMOS器件，包括：Si1‑xGex/Si虚衬底；P型应变Ge沟道层，设置于Si1‑xGex/Si虚衬底表面上；栅极区，设置于P型应变Ge沟道层表面上；源区和漏区，设置于栅极区两侧的P型应变Ge沟道层内；介质层，设...
该专利属于西安科锐盛创新科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安科锐盛创新科技有限公司授权不得商用。

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