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本申请提供了一种量子点、制作方法、单光子源和QLED。该量子点包括量子点本体和设置在量子点本体外表面的配体，配体包括电化学惰性配体，电化学惰性配体的还原电位大于量子点本体的导带底对应的电位，电化学惰性配体的氧化电位小于量子点本体的价带底对应...
该专利属于浙江大学;纳晶科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学;纳晶科技股份有限公司授权不得商用。

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