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本发明公开了一种GaN基低阶表面光栅DFB激光器的制备方法，包括步骤：GaN基激光器外延片上沉积SiO2掩膜；使用纳米压印技术在基片表面制备均匀的布拉格光栅，光刻技术制作条形图样，形成脊型与光栅的复合结构；刻蚀GaN，经条形光刻胶与光栅状S...
该专利属于中国工程物理研究院电子工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院电子工程研究所授权不得商用。

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