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本发明提供了一种基于硫化钨纳米片的阻变存储器及其制备方法，所述忆阻器的结构从下到上依次包括Pt衬底、在所述Pt衬底上形成的第一ZrO2阻变层、在所述第一ZrO2阻变层上形成的WS2纳米片介质层、在所述WS2纳米片介质层上形成的第二ZrO2阻...
该专利属于河北大学所有，仅供学习研究参考，未经过河北大学授权不得商用。

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