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本发明公开了一种深紫外LED的外延结构，包括由下至上依次叠加的蓝宝石衬底、AlN层、N型AlGaN层、多量子阱有源层、超晶格AlGaN势垒层、P型AlGaN电子阻挡层以及P型GaN层；超晶格AlGaN势垒层由势垒Alx1Gay1N和势阱Al...该专利属于华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学授权不得商用。