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本发明涉及半导体光电二极管领域，特别涉及一种提高背照式光电二极管响应度的结构及制作方法，所述结构包括衬底，在衬底上生长有吸收层、渐变层、窗口层和欧姆接触层；所述结构采用台面型芯片结构，台面表面覆盖有钝化层，有源区窗口覆盖有P电极，从台面下N...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十四研究所授权不得商用。

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