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本发明涉及晶体管和用于制作晶体管的方法。在提供有掩埋氧化层(BOX)的绝缘体上硅(SOI)半导体晶片上，例如FD‑SOI和UTBB器件，构造具有部分凹陷栅极的晶体管。外延生长的沟道区域放松了对掺杂源极和漏极分布的设计的约束。部分凹陷栅极和抬...
该专利属于意法半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体公司授权不得商用。

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