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本发明外延自组装高温生长GaN阵列的制备方法，属于半导体生长技术领域；所要解决的技术问题是提供了生长GaN基纳米阵列均匀性差的难题；解决该技术问题采用的技术方案为：高温清洗衬底；衬底表面淡化；AlGaN形核点的制备；GaN纳米柱外延生长，即...
该专利属于太原理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过太原理工大学授权不得商用。

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