温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本公开提供了一种薄膜晶体管及其阵列、待测物体的检测方法，所述薄膜晶体管用于检测结合有金属离子的待测物体的参数，其中：所述薄膜晶体管的有源层的载流子迁移率为第一迁移率，所述有源层与所述金属离子包含的金属元素结合后的载流子迁移率为第二迁移率，所...该专利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司授权不得商用。