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本发明提供一种快闪存储器干扰存储区位置的判定方法，以快闪存储器的扇区为单位逐个扇区进行耐久力循环测试，在每次循环测试前后监测快闪存储器的全阵列存储区中除了当前耐久力循环测试扇区之外的其它扇区的行或列数据是否一致，若不一致，则判定相应扇区的行...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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