温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种无损伤摩擦诱导纳米加工方法，包括以下步骤：S1、对单晶硅样品表面进行清洗以去除表面杂质；S2、通过机械刻划加工设备利用探针在单晶硅样品表面按设定的加工参数进行扫描加工；S3、配置刻蚀溶液，并将盛有刻蚀溶液的容器放置于磁力搅拌...
该专利属于西南交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西南交通大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。