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本发明属于显示技术领域，具体涉及薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管的制备方法，包括形成源极、漏极和有源层的步骤，其中，形成所述有源层的步骤包括：根据所述薄膜晶体管预设的阈值电压，设定有源层位于所述源极与所述漏极之间的沟...
该专利属于京东方科技集团股份有限公司;北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司;北京大学授权不得商用。

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