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用于降低三维NOR存储器阵列中的干扰的交错的字线架构制造技术
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下载用于降低三维NOR存储器阵列中的干扰的交错的字线架构的技术资料
文档序号:20519107
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一种交错的存储器单元架构,其在共用位线的相对侧上的交错存储器单元以维持存储器单元密度,同时增大这样的存储器单元之间的距离,由此降低干扰的可能性。在一个实施方式中,沿着共用的位线的第一侧的存储器单元连接到提供在存储器结构之下的全局字线的集合,...
该专利属于日升存储公司所有,仅供学习研究参考,未经过日升存储公司授权不得商用。
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