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本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括:提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成高k介电层；在所述高k介电层上形成覆盖层或功函数金属层；对所述覆盖层或功函数金属层执行离子注入；在所述覆盖层或功函数金属层上形成金属栅极。根据本发明提...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。