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本发明涉及激光器技术领域，提供了一种倒台型高速半导体激光器芯片及其制备方法，其中方法包括：在外延片表面生长SiNx掩膜层，刻出双沟图形；利用化学腐蚀得到倒台型脊条，并去除外延片表面剩余的SiNx掩膜层；在外延片表面生长第一SiO2保护层，再...
该专利属于武汉电信器件有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉电信器件有限公司授权不得商用。

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