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本发明提供了一种具有石墨烯结构的半导体器件及其制备方法，所述半导体器件包括依次沉积在衬底上的缓冲层、N型GaN层、有源层、P型GaN层，其中，所述有源层包括周期层叠的量子阱层和量子垒层，所述N型GaN层或/和所述有源层中还包括一石墨烯层，位...
该专利属于李丹丹所有，仅供学习研究参考，未经过李丹丹授权不得商用。

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