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本发明公开了一种具有超结结构的功率器件及其制作方法，该具有超结结构的功率器件包括位于终端区内的超结结构，所述超结结构包括至少一个第一导电类型的第一半导体柱及至少一个第二导电类型的第二半导体柱，第一半导体柱与第二半导体柱横向交替排布；超结结构...
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