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本发明涉及制造ISE半电池的方法、ISE半电池、传感器和多参数传感器。公开了一种用于制造ISE半电池(1)的方法，所述方法包括以下步骤：将空心体(3)的第一端浸入包括至少一种溶剂和离子特异性离子载体的膜溶液(5)中；从所述膜溶液(5)中移除...
该专利属于恩德莱斯和豪瑟尔分析仪表两合公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩德莱斯和豪瑟尔分析仪表两合公司授权不得商用。

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