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本申请公开了一种提高晶体质量的LED外延生长方法，方法包括处理表面具有AlN薄膜的蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上顺次生长Al0.8Ga0.2N层、Al0.5Ga0.5N层和Al0.2Ga0.8N层，生长不掺杂GaN层，生长掺杂Si的N型Ga...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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