温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明属于半导体技术领域，具体为一种二硫化钼隧穿晶体管及其制备方法。本发明隧穿晶体管以二硫化钼薄膜线条作为隧穿晶体管的沟道；源漏电极形成在所述沟道两侧，与所述二硫化钼薄膜线条形成肖特基接触；顶栅介质层采用高K材料，形成在所述沟道区上并覆盖所...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。