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本发明公开了一种全无机钙钛矿多重阻变忆阻器的制备方法。所述方法先采用热喷涂的方法在清洗干净的基底表面上制备钙钛矿薄膜；然后在冷却后的钙钛矿薄膜滴加溶剂的进行旋涂，再退火处理得到全无机钙钛矿薄膜；最后在全无机钙钛矿薄膜上镀层金或铂电极，制得忆...
该专利属于南京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京理工大学授权不得商用。

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