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一种降低氮化镓基发光二极管工作电压的外延片生长方法，外延片从下到上为蓝宝石图形化AlN衬底、故意轻度掺杂的3维GaN层与2维GaN层、n型接触层、N型GaN层、量子阱有源区、低温掺Mg的P型氮化铝镓电子阻挡层、掺Mg的P型氮化镓层以及掺Mg...
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