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本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。在电子阻挡层与P型GaN层之间设置包括交替层叠的氮化铟与氮化镓的超晶格结构，氮化铟与氮化镓的超晶格结构可起到减小外延层中的位错与缺陷的作用，可提高外延片的整体质量。并且...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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