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本发明公开了一种发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片，属于半导体技术领域。所述制备方法包括：提供一衬底，并将所述衬底放入反应腔内；在所述衬底上生长N型半导体层；在所述N型半导体层上生长有源层，所述有源层包括依次层叠的多个周期结构，每...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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