温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种半导体器件及其制作方法。其中，所述制作方法包括在半导体衬底上依次形成缓冲层、势垒层和钝化层；形成第一阳极接触孔；在第一阳极接触孔内和所述钝化层上形成介质层；形成第二阳极接触孔；在所述介质层上和所述第二阳极接触孔内形成第一金属层...
该专利属于深圳市晶相技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市晶相技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。