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本发明涉及一种具有超级结结构的沟槽栅场效应晶体管及其制造方法，属于半导体技术领域。本发明的具有超级结结构的沟槽栅场效应晶体管，其具有二氧化硅深槽，且该深槽周围具有P型层与N型外延，从而与现有的超结结构MOSFET相比，其导通电阻更小，同时由...
该专利属于张帅;黄昕所有，仅供学习研究参考，未经过张帅;黄昕授权不得商用。

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