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本发明半导体防护器件技术领域，涉及一种低箝位保护器件结构及其制作方法，在第二导电类型外延层内设有将器件分割成三个区域的第一导电类型隔离结构；在第一区域内形成低电容二极管D1，第二区域内形成低电容二极管D2，第三区域内形成放电管TSS，在第一...
该专利属于合肥诺华微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥诺华微电子有限公司授权不得商用。

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