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本发明技术方案公开了半导体器件及其制造方法，其中制造方法，包括：提供基底；在所述基底上形成金属氧化物层；刻蚀所述金属氧化物层及所述半导体衬底，形成沟槽；在所述金属氧化物层上形成金属层，所述金属层填充满所述沟槽；去除所述金属氧化物层表面的所述...
该专利属于德淮半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德淮半导体有限公司授权不得商用。

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