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本发明提供了一种碳化硅(SiC)MOS栅氧化层退火方法，包括栅极氧化物成长步骤、栅区晶硅形成步骤、源区形成步骤、P型形成步骤、介电层形成步骤以及防护层形成步骤。所述P型形成步骤包括P层形成步骤；在所述P层形成步骤中：在N型外延层(10)上形...
该专利属于北京绿能芯创电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京绿能芯创电子科技有限公司授权不得商用。

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