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本发明公开了掺杂量子点及其制备方法，该方法适于将掺杂离子引入到第一量子点晶格内，形成掺杂量子点，以改善第一量子点的物理性能。掺杂量子点的制备方法包括以下步骤：S11.将用于合成第一量子点的阳离子前体与溶剂混合，得到第一溶液；S12.将用于合...
该专利属于纳晶科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过纳晶科技股份有限公司授权不得商用。

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