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本发明公开一种超长氧化钼纳米带生长方法，具体是使用气相沉积方法制备超长MoO3纳米带，通过将MoS2放入含有氧气的管式炉中，并加热和通氮气载气，让蒸发的MoS2与管内残余氧气反应，在管壁和硅片上生成MoO3纳米带，纳米带长度可达1～2cm，...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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