温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种半导体器件清洗工艺，其包括如下步骤：S100：蒸发清洗步骤；采用正溴丙烷蒸汽对待处理的半导体器件进行清洗处理；S200：冷凝步骤；采用冷凝装置进行冷凝处理使所述正溴丙烷蒸汽在所述半导体器件上凝结成液滴。本发明还提供一种半导体...
该专利属于扬州虹扬科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州虹扬科技发展有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。