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本实用新型涉及一种双室高真空多靶磁控溅射装置，包括溅射真空室、样品架、磁控靶、进样室、传递杆和工作台。传统的高真空磁控溅射装置的溅射真空室，在抽取该腔室所花费的时间特别长，换靶后真空腔又全部充满空气，又需要重新花费时间进行抽取作业，这将延长...
该专利属于华东交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过华东交通大学授权不得商用。

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