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一种在形成垂直存储器单元串及导电通路时使用的方法包括向下部材料中形成第一下部开口及第二下部开口。在所述第一下部开口及所述第二下部开口内形成第一材料。在所述下部材料上方且在所述第一下部开口及所述第二下部开口中的所述第一材料上方形成上部材料。穿...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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